ITW30N50R TO-3P N-Kanal MOSFET Transistör Özellikleri

ITW30N50R MOSFET transistör, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış güçlü bir güç transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı değerleriyle, yüksek güç gerektiren endüstriyel uygulamalar için mükemmel bir seçimdir. TO-3P paketi sayesinde üstün ısı dağılımı ve güvenilir montaj imkanı sunar. Özellikle plazma TV'ler, endüstriyel güç kaynakları, kaynak makineleri ve yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Bu N-Kanal MOSFET transistör, 0.25Ω RDS(on) direnci ile yüksek verimlilik sağlar. Gelişmiş avalanj dayanıklılığı ve geniş güvenli çalışma alanı (SOA) özellikleri sayesinde zorlu endüstriyel ortamlarda güvenilir performans sunar. Düşük gate yükü ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile yüksek frekanslı güç dönüşüm uygulamalarında optimum performans gösterir.