IPP200N15N TO-220 N-Kanal Mosfet Transistör Özellikleri

IPP200N15N, yüksek güçlü N-kanal MOSFET transistördür. TO-220 paketinde üretilen bu güç transistörü, yüksek akım ve voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. Düşük direnç ve yüksek verimlilik özellikleri ile güç elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Temel Özellikleri:

• Model: IPP200N15N

• Tip: N-Kanal MOSFET

• Paket: TO-220

• Özel Özellikler:

  • Düşük RDS(on) direnci
  • Hızlı anahtarlama özelliği
  • Yüksek güç kapasitesi
  • Düşük güç kaybı
  • Termal koruma özelliği

Teknik Özellikler:

• Drain-Source Voltajı (VDS): 150V
• Gate-Source Voltajı (VGS): ±20V
• Sürekli Drain Akımı (ID): 200A
• Drain-Source Direnci (RDS(on)): 2.5mΩ
• Güç Dissipasyonu (PD): 300W
• Çalışma Sıcaklığı: -55°C ~ +175°C

Uygulama Alanları:

• Güç kaynakları
• DC-DC dönüştürücüler
• Motor sürücüleri
• Endüstriyel güç sistemleri
• UPS sistemleri
• Solar invertörler
• Elektrikli araç şarj sistemleri

IPP200N15N MOSFET transistör, yüksek güç uygulamaları için tasarlanmış güvenilir bir çözümdür. Düşük RDS(on) direnci sayesinde minimum güç kaybı sağlar ve yüksek verimlilik sunar. Hızlı anahtarlama özelliği ve termal koruma mekanizması ile zorlu endüstriyel ortamlarda bile güvenle kullanılabilir.